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电子元器件详细资料 » IC[20232] » IPB180N06S4-H1
型号:IPB180N06S4-H1类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.7 毫欧 @ 100A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 200µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs270nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds21900pF @ 25V
功率_最大250W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装PG-TO263-7
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市大唐盛世半导体有限公司张先生13008842056
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市汇景欣电子有限公司黎小姐0755-23051326
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
瀚佳科技(深圳)有限公司李小姐0755-23915992/23140719

IPB180N06S4-H1相关型号

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